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- 型号： CPH6616-TL-E
- 制造商： SANYO Semiconductor Company
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CPH6616-TL-E由SANYO Semiconductor Company设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CPH6616-TL-E价格参考。SANYO Semiconductor CompanyCPH6616-TL-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CPH6616-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CPH6616-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CPH6616-TL-E 是 ON Semiconductor（安森美）推出的双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列（采用 SOT-457/CPH6 封装），具有低导通电阻（Rds(on) 典型值约 38 mΩ @ Vgs=4.5V）、快速开关特性及集成体二极管，适用于空间受限、需高效功率控制的场景。 典型应用场景包括： 1. DC-DC 电源转换：用于同步降压（Buck）转换器的上下管驱动，提升效率与功率密度，常见于笔记本电脑主板、GPU供电模块及通信设备电源管理单元； 2. 负载开关与电源路径管理：在便携式设备（如平板、POS终端）中实现电池与适配器间的智能切换、过流保护及待机功耗控制； 3. 电机驱动与LED调光：驱动小型直流有刷电机（如风扇、微型泵）或高亮度LED阵列，利用其双通道结构简化PCB布局并支持PWM调光/调速； 4. 接口保护与热插拔电路：配合限流检测电路，用于USB供电端口、Type-C接口等防反接、浪涌抑制设计。 该器件工作电压范围宽（±20 V栅源耐压，20 V漏源额定电压），结温可达150°C，具备良好的热稳定性，适合中低功率（<3 W/通道）、高频（可达1 MHz）开关应用。需注意PCB散热设计及驱动信号上升沿控制以抑制EMI。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH DUAL 30V 2.5A CPH6 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CPH6616-TL-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 187pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5.2nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 105 毫欧 @ 1.5A，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | 6-CPH |
| 其它名称 | 869-1146-6 |
| 功率-最大值 | 900mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.5A |
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