【未分类_CPH5811-TL-E】封装/厂家_CPH5811-TL-E中文资料_价格

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型号： CPH5811-TL-E
制造商： SANYO Semiconductor Company
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供CPH5811-TL-E由SANYO Semiconductor Company设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CPH5811-TL-E价格参考。SANYO Semiconductor CompanyCPH5811-TL-E封装/规格：未分类，暂无。您可以下载CPH5811-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CPH5811-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

CPH5811-TL-E 是安森美（ON Semiconductor）推出的高性能射频N沟道MOSFET，采用小型SOT-563封装，具备低栅极电荷（Qg ≈ 1.2 nC）、高增益（fT ≈ 4.5 GHz）和优良的功率增益（Gps > 10 dB @ 900 MHz），适用于中低功率射频放大场景。其典型应用场景包括：  
- 蜂窝通信前端模块：用于GSM/EDGE基站、小基站（Small Cell）及用户终端中的驱动级或末级射频功率放大器；  
- 物联网（IoT）与无线模块：适配Sub-1 GHz（如433 MHz、868 MHz、915 MHz）频段的LPWAN设备（如LoRa、Sigfox节点），提供高效率、小尺寸的射频放大解决方案；  
- RFID读写器：作为UHF频段（860–960 MHz）发射链路的末级放大器，满足中等输出功率（约0.5–1 W）与良好线性度需求；  
- 无线音频/遥控设备：如蓝牙辅助射频链路、车用遥控（RKE）、工业遥控器等对成本、尺寸和功耗敏感的应用。  

该器件支持+5 V单电源供电，具备良好的热稳定性与ESD防护能力（HBM ≥ 2 kV），配合简易匹配电路即可实现高效设计，特别适合空间受限、需快速量产的消费类及工业级射频产品。

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