【未分类_CL02A102KP2NNNE】封装/厂家_CL02A102KP2NNNE中文资料_价格

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型号： CL02A102KP2NNNE
制造商： SAMSUNG
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供CL02A102KP2NNNE由SAMSUNG设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CL02A102KP2NNNE价格参考。SAMSUNGCL02A102KP2NNNE封装/规格：未分类，暂无。您可以下载CL02A102KP2NNNE参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CL02A102KP2NNNE 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Samsung Electro-Mechanics生产的CL02A102KP2NNNE是一款多层陶瓷电容器（MLCC），容值为1 nF（102表示10×10² pF = 1000 pF），额定电压为25 V，X7R温度特性（±15%容差），封装尺寸为0201（0.6 mm × 0.3 mm），具有高可靠性与小体积优势。  

其典型应用场景包括：  
- 智能手机与可穿戴设备：用于电源去耦、噪声滤波及RF模块旁路，满足紧凑空间对微型化和高频稳定性的严苛要求；  
- 蓝牙/Wi-Fi模组：在射频收发前端或LDO稳压器输入/输出端提供高频退耦，抑制开关噪声与信号串扰；  
- 物联网传感器节点：因低功耗、小尺寸及宽温工作范围（−55℃～+125℃），适用于电池供电的微型传感电路中的电源平滑与信号耦合；  
- 车载信息娱乐系统（非安全关键部位）：如USB接口ESD防护后的滤波、显示屏驱动电路中的去耦等，符合AEC-Q200基础可靠性要求（需确认具体批次认证状态）；  
- 消费类电子主板：CPU/GPU周边数字电路的局部去耦，提升信号完整性与电源稳定性。  

注意：该型号不适用于高脉冲电流、强振动或功能安全等级（如ASIL-B/C）要求场景，且不可替代高压或高精度C0G/NP0型电容。实际选型需结合PCB布局、热设计及EMC需求综合评估。

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