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- 型号： CIB21P330NE
- 制造商： SAMSUNG
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CIB21P330NE由SAMSUNG设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CIB21P330NE价格参考。SAMSUNGCIB21P330NE封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CIB21P330NE参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CIB21P330NE 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CIB21P330NE 是一款由村田（Murata）生产的铁氧体磁珠（Ferrite Bead），属于片式（芯片型）表面贴装器件（SMD），额定阻抗为33Ω（@100MHz），额定电流达2.5A，直流电阻低（典型值约0.025Ω），适用于高频噪声抑制。 其典型应用场景包括： - 电源滤波：用于DC-DC转换器输出端、LDO后级或微处理器/FPGA核心供电路径，抑制开关噪声（如10MHz–1GHz频段）传导至敏感电路； - 高速数字接口EMI抑制：在USB、HDMI、MIPI、PCIe等信号线上串联使用（需配合电容构成π型滤波），衰减高频共模/差模噪声，满足CISPR 22/32辐射发射要求； - 射频模块隔离：置于Wi-Fi/BT/5G模组的VCC或I/O供电支路，防止数字噪声耦合至RF前端，提升接收灵敏度与杂散抑制比； - 汽车电子应用：符合AEC-Q200可靠性标准（该型号为车规级），常用于ADAS摄像头供电、车载信息娱乐系统（IVI）的CAN/LIN总线电源滤波等场景。 注：CIB21P330NE为无极性、非谐振型磁珠，不可替代电感用于储能或升压电路；设计时需注意自谐振频率（SRF≈800MHz）及电流降额（高温下建议≤1.8A），避免饱和失效。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 滤波器 |
| DC电阻(DCR) | 50 毫欧最大 |
| 描述 | FERRITE CHIP 33 OHM 1500MA 0805 |
| 产品分类 | 铁氧体磁珠和芯片 |
| 品牌 | Samsung Electro-Mechanics America, Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | CIB21P330NE |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| RoHS指令信息 | |
| 产品系列 | CIB21 |
| 不同频率时的阻抗 | 33 欧姆 @ 100MHz |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 大小/尺寸 | 0.079" 长 x 0.049" 宽（2.00mm x 1.25mm） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 0805（2012 公制） |
| 标准包装 | 3,000 |
| 滤波器类型 | 差模 - 单线 |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/samsung-cib-cim-series-chip-beads/4059 |
| 额定电流 | 1.5A |
| 高度（最大值） | 0.043"（1.10mm） |
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