Datasheet下载- 型号： CDZT2R9.1B
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CDZT2R9.1B由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CDZT2R9.1B价格参考。ROHM SemiconductorCDZT2R9.1B封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CDZT2R9.1B参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CDZT2R9.1B 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CDZT2R9.1B 是罗姆（ROHM）半导体推出的表面贴装型齐纳二极管，标称稳压值为9.1 V（容差±5%），功率为200 mW，采用小型SOD-323（SC-76）封装。其典型应用场景包括： 1. 低功耗电压基准与稳压：适用于便携式设备（如TWS耳机、可穿戴设备、传感器节点）中为MCU、ADC或运放提供精准、低噪声的参考电压。 2. 过压保护与箝位电路：常用于I/O端口或信号线（如UART、I²C总线）的ESD防护与瞬态电压抑制，配合TVS或限流电阻，将电压箝位在9.1 V附近，防止后级IC损坏。 3. 电源监控与复位电路：配合比较器或专用复位芯片，监测3.3 V/5 V系统供电是否异常升高，实现欠压/过压检测功能。 4. 小电流稳压源：在微功耗LDO无法满足精度要求时，可为低静态电流（<1 mA）的模拟电路（如传感器偏置、振荡器反馈网络）提供稳定偏置电压。 该器件具有低动态阻抗（约15 Ω）、良好温度稳定性（TC ≈ 0.07%/°C）和高可靠性，适合空间受限、成本敏感且无需大电流驱动的消费类及工业电子应用。注意：不可用于需>10 mA稳压电流的场景，应避免持续满功率工作以保障长期稳定性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 9.1V 100MW VMN2稳压二极管 100MW 9.1V VMN2 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ROHM Semiconductor CDZT2R9.1B- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | CDZT2R9.1B |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | - |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 6V |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | VMN2 |
| 功率-最大值 | 100mW |
| 功率耗散 | 100 mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±2% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 2-SMD，扁平引线 |
| 封装/箱体 | VMN-2 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 8000 |
| 最大反向漏泄电流 | 500 nA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 30 Ohms |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 8,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 9.1V |
| 电压容差 | 2 % |
| 配置 | Single |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 30 欧姆 |
| 齐纳电压 | 9.04 V |
| 齐纳电流 | 5 mA |
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