图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供CDV30FK111FO3F由Cornell Dubilier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CDV30FK111FO3F价格参考。Cornell DubilierCDV30FK111FO3F封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CDV30FK111FO3F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CDV30FK111FO3F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CDV30FK111FO3F 是 Cornell Dubilier Electronics(CDE)生产的云母/PTFE复合介质高压电容器,标称容量为110 pF(111表示11×10¹ = 110 pF),额定电压3 kV DC,容差±1%,采用径向引线、环氧树脂封装,具备优异的高频稳定性、低介质损耗(tanδ < 0.0003)、极小的温度系数(±50 ppm/°C)及出色的长期可靠性。 其典型应用场景包括: - 射频与微波电路:用于高Q值谐振回路、带通/带阻滤波器、天线匹配网络及功率放大器输出耦合,尤其适用于1–1000 MHz频段; - 高压脉冲系统:如雷达发射机、激光驱动电源、粒子加速器中的储能与整形电容,得益于PTFE/云母组合对瞬态高压和重复脉冲的耐受能力; - 精密定时与振荡电路:在高温(-55°C 至 +125°C)或高稳定性要求场合(如航天电子、测试仪器)中,作为LC振荡器或压控振荡器(VCO)的调谐电容; - 医疗与工业高频设备:如射频消融仪、等离子体发生器等需低损耗、无老化漂移的关键节点。 该器件不适用于大电流纹波或低频大容量滤波场景,其核心价值在于极端环境下的高频精度与长期参数稳定性。