图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供CDV30FJ511JO3F由Cornell Dubilier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CDV30FJ511JO3F价格参考。Cornell DubilierCDV30FJ511JO3F封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CDV30FJ511JO3F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CDV30FJ511JO3F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CDV30FJ511JO3F 是一款由“-”(品牌字段为空,可能为未标注、代工或信息缺失)生产的云母与PTFE(聚四氟乙烯)复合介质电容器,属高稳定性、高可靠性薄膜电容。其型号中“511”表示标称容量510 pF(51×10¹ pF),“J”代表容量公差±5%,“O3F”通常对应特殊温度特性(如-55℃~+125℃宽温范围)及符合MIL-PRF-55681或类似军规标准的封装与测试要求。 该电容典型应用于对频率稳定性、低损耗(tanδ<0.0003)、超低老化率(<0.1%/decade)和强抗辐射/抗湿热性能有严苛要求的场景: • 高频/微波电路中的谐振、耦合与滤波,如雷达收发模块、卫星通信前端; • 精密振荡器与时钟基准电路(如OCXO、VCXO),保障长期频率精度; • 航空航天与军工电子设备中的电源去耦、脉冲整形及高压采样网络; • 医疗影像设备(如MRI射频链路)中需极低相位噪声与高Q值的信号路径。 因其云母基底+PTFE包封结构,兼具云母的优异介电强度(>100 V/μm)与PTFE的卓越耐温性、化学惰性和高频性能,不适用于大电流或普通消费级电源滤波等低成本场景。实际选型时需确认其额定电压(典型为300–500 VDC)、安装方式(径向引线或SMD)及是否通过AEC-Q200或MIL-S-901D等认证。