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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供CDV30FJ181GO3由Cornell Dubilier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CDV30FJ181GO3价格参考。Cornell DubilierCDV30FJ181GO3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CDV30FJ181GO3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CDV30FJ181GO3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CDV30FJ181GO3 是一款由“-”(品牌栏为空,可能为代工或未标注品牌,常见于国产基础元器件)生产的云母与PTFE(聚四氟乙烯)复合介质电容器。其型号中“181”表示标称容量为180 pF(18×10¹ pF),“J”代表容量公差±5%,“G”对应额定电压100 V DC(部分厂商标准),O3可能表征温度特性或包装代码。 该电容器融合云母的高稳定性、低损耗(tanδ ≈ 0.0002–0.0005)与PTFE优异的耐高温性(连续工作可达200℃)、宽温性能(-55℃~+200℃)及极佳介电强度,适用于对可靠性、高频特性和环境适应性要求严苛的场景: - 高频谐振与选频电路:如射频(RF)发射/接收模块中的LC振荡器、滤波器、阻抗匹配网络(尤其在1–500 MHz频段); - 航空航天与军工电子:机载雷达收发前端、导弹导引头信号调理电路,需承受宽温、振动及长期老化考验; - 高精度测量仪器:示波器探头补偿、高频标准源、锁相环(PLL)参考回路,依赖其极低介质吸收和容量漂移(<10 ppm/℃); - 大功率脉冲系统:如激光驱动、粒子探测器前置放大耦合,利用其高绝缘电阻(>10⁴ GΩ·cm)和抗电晕特性。 注意:因品牌缺失,实际应用前需核实厂商规格书以确认电压等级、温度系数(如C0G/NP0级)、焊料耐热性(是否支持无铅回流焊)等关键参数。不推荐用于普通消费类电源滤波或低成本替代场景。