【未分类_CD4FC751GO3F】封装/厂家_CD4FC751GO3F中文资料_价格

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型号： CD4FC751GO3F
制造商： Cornell Dubilier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供CD4FC751GO3F由Cornell Dubilier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CD4FC751GO3F价格参考。Cornell DubilierCD4FC751GO3F封装/规格：未分类，暂无。您可以下载CD4FC751GO3F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CD4FC751GO3F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

CD4FC751GO3F 是 Cornell Dubilier（CDE）推出的云母介质电容器（属CD4系列），标称容量750 pF（751表示75×10¹ = 750 pF），容差±2%（G），额定电压300 VDC（O3对应300 V），F代表镀银云母（Silvered Mica），符合MIL-PRF-11015标准。

该器件主要应用于高可靠性、高稳定性、低损耗的射频与精密模拟电路中，典型场景包括：  
- 高频滤波与耦合：在VHF/UHF频段（如30–500 MHz）通信设备、雷达前端、RF放大器级间耦合中，利用其极低介质损耗（tanδ < 0.0005）、优异Q值（>10,000）和温度稳定性（±35 ppm/℃），保障信号完整性；  
- 振荡与调谐回路：在晶体振荡器、LC谐振腔、压控振荡器（VCO）等对电容温漂和老化率敏感的场合，提供长期频率稳定性（年老化率<0.005%）；  
- 脉冲与高压旁路：适用于开关电源栅极驱动、激光驱动器或医疗成像设备中的瞬态抑制与高频去耦，得益于其高绝缘电阻（>10⁴ GΩ·μF）和抗电晕设计；  
- 军用/航天电子：满足MIL-STD-202测试要求，常用于机载无线电、导弹导引头及卫星通信模块等严苛环境。

注：虽PTFE电容器亦属CDE高端产品线，但CD4FC751GO3F为镀银云母结构，非PTFE材质；其性能优势集中于高频精度与长期可靠性，不适用于大电流或超高频（>1 GHz）场景。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	电容器
描述	CAP MICA 750PF 300V 2% RADIAL
产品分类	云母和 PTFE 电容器
品牌	Cornell Dubilier Electronics (CDE)
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	CD4FC751GO3F
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	CD4
介电材料	云母
其它名称	CD4FC751G03F
包装	散装
大小/尺寸	0.339" 长 x 0.161" 宽（8.60mm x 4.10mm）
安装类型	通孔
容差	±2%
封装/外壳	径向
工作温度	-55°C ~ 125°C
引线间距	0.098"（2.50mm）
标准包装	100
特性	射频，高频率
电压-额定	300V
电容	750pF
高度-安装（最大值）	0.311"（7.90mm）