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详细数据请看参考数据手册
- 型号： CBR08C408B1GAC
- 制造商： Kemet
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CBR08C408B1GAC由Kemet设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CBR08C408B1GAC价格参考。KemetCBR08C408B1GAC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CBR08C408B1GAC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CBR08C408B1GAC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
KEMET CBR08C408B1GAC 是一款高性能X7R介质、0805封装（2.0×1.25 mm）、40 pF ±0.1 pF容差、100 V额定电压的多层陶瓷电容器（MLCC）。其低容差（B=±0.1 pF）、高稳定性（X7R：±15% over –55°C to +125°C）及优异的高频特性，使其特别适用于对精度、温度稳定性和可靠性要求严苛的射频与模拟电路。 典型应用场景包括： ✅ 射频匹配网络——在5G基站前端、Wi-Fi 6/6E射频模块中，用于阻抗匹配和滤波，40 pF值常用于LNA或PA输入/输出端调谐； ✅ 高精度定时与振荡电路——配合晶体或VCO使用，提供稳定负载电容，保障频率精度与相位噪声性能； ✅ 高速信号链去耦/旁路——为ADC/DAC参考电压源或时钟驱动电路提供低ESL/ESR高频旁路（可达GHz频段），抑制电源噪声； ✅ 医疗与航空航天电子——因符合AEC-Q200（车载级）及KEMET高可靠性标准，亦用于便携式超声设备、卫星通信收发模块等需长期稳定运行的场景。 该器件不含铅、符合RoHS，并具备良好抗机械应力能力，适合回流焊工艺。注意：实际应用中需避免直流偏压导致容量衰减（X7R介质在100 V下仍保持较高有效容值），且应遵循PCB布局规范以发挥最佳高频性能。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电容器 |
| 描述 | CAP CER 0.4PF 100V NP0 0805 |
| 产品分类 | 陶瓷电容器 |
| 品牌 | Kemet |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CBR08C408B1GAC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CBR |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25569http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26226 |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 厚度（最大值） | 0.035"（0.88mm） |
| 大小/尺寸 | 0.079" 长 x 0.049" 宽（2.00mm x 1.25mm） |
| 安装类型 | 表面贴装，MLCC |
| 容差 | ±0.1pF |
| 封装/外壳 | 0805（2012 公制） |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 应用 | RF，微波，高频 |
| 引线形式 | - |
| 引线间距 | - |
| 标准包装 | 4,000 |
| 温度系数 | C0G，NP0 |
| 特性 | 高 Q 值，低损耗 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/kemet-cbr-rf-ceramics/1028 |
| 电压-额定 | 100V |
| 电容 | 0.40pF |
| 等级 | - |
| 高度-安装（最大值） | - |
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