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详细数据请看参考数据手册
- 型号： CBR06C709D1GAC
- 制造商： Kemet
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CBR06C709D1GAC由Kemet设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CBR06C709D1GAC价格参考。KemetCBR06C709D1GAC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CBR06C709D1GAC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CBR06C709D1GAC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CBR06C709D1GAC 是一款由“KEMET（基美）”品牌生产的陶瓷电容器（注：题干中“品牌为-”应为信息缺失，实际该型号属KEMET CBR系列），属于Class I（COG/NPO）超稳定多层陶瓷电容（MLCC）。其标称容量为7.0 pF（709表示7.0×10⁹ pF = 7.0 pF），容差±0.5 pF（D），额定电压100 V（1G），封装尺寸为0603（1608公制）。 该器件具有极低的介质损耗（tanδ < 0.001）、优异的温度稳定性（COG材质，-55℃~+125℃范围内电容量变化≤±30 ppm/℃）及高Q值、低ESL/ESR特性，适用于对频率稳定性、相位噪声和信号保真度要求严苛的高频电路。 典型应用场景包括： - 射频（RF）匹配网络与阻抗调谐（如Wi-Fi 6/6E、蓝牙5.x、蜂窝通信前端模块中的π型/L型匹配）； - 高频振荡器（VCO、晶体负载电容）、滤波器（LC带通/带阻）及射频收发器的本振（LO）旁路与耦合； - 高速数字电路中的精密去耦（如FPGA/GPU电源引脚的高频噪声抑制）； - 医疗/测试设备中的精密传感器接口、ADC/DAC参考电压滤波等低漂移模拟电路。 因其超小容差与温漂，不适用于需大容量或高耐压的电源主滤波场景。需注意PCB布局时避免焊盘不对称导致应力影响容量精度。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电容器 |
| 描述 | CAP CER 7PF 100V NP0 0603 |
| 产品分类 | 陶瓷电容器 |
| 品牌 | Kemet |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CBR06C709D1GAC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CBR |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25569http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26226 |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 厚度（最大值） | 0.034"（0.87mm） |
| 大小/尺寸 | 0.063" 长 x 0.031" 宽（1.60mm x 0.80mm） |
| 安装类型 | 表面贴装，MLCC |
| 容差 | ±0.5pF |
| 封装/外壳 | 0603（1608 公制） |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 应用 | RF，微波，高频 |
| 引线形式 | - |
| 引线间距 | - |
| 标准包装 | 4,000 |
| 温度系数 | C0G，NP0 |
| 特性 | 高 Q 值，低损耗 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/kemet-cbr-rf-ceramics/1028 |
| 电压-额定 | 100V |
| 电容 | 7.0pF |
| 等级 | - |
| 高度-安装（最大值） | - |
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