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详细数据请看参考数据手册
- 型号： CBR04C279B1GAC
- 制造商： Kemet
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CBR04C279B1GAC由Kemet设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CBR04C279B1GAC价格参考。KemetCBR04C279B1GAC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CBR04C279B1GAC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CBR04C279B1GAC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
KEMET CBR04C279B1GAC 是一款高性能车规级（AEC-Q200认证）多层陶瓷电容器（MLCC），容量为2.7 pF，容差±0.1 pF，额定电压100 V，采用0402（1005）小型封装，介质为C0G/NP0（温度系数极稳定，±30 ppm/℃）。 其典型应用场景包括： - 高频射频电路：如5G通信前端模块、Wi-Fi 6/6E射频匹配网络、蓝牙低功耗（BLE）收发器中的阻抗匹配与谐振调谐； - 精密时钟与振荡电路：为晶体振荡器（XO）、压控振荡器（VCO）提供高稳定性负载电容，保障频率精度与时钟抖动性能； - 高速数字接口滤波：用于USB 3.x、PCIe Gen4+等高速链路的参考电压旁路或AC耦合节点，抑制高频噪声； - 汽车电子系统：满足AEC-Q200要求，适用于ADAS摄像头模块、车载雷达RF前端、信息娱乐系统中的高频信号路径； - 测试测量设备：在矢量网络分析仪（VNA）、频谱分析仪等精密仪器中承担校准标准件或高频补偿功能。 该器件凭借C0G介质的超低损耗（DF < 0.1%）、优异的长期稳定性及宽温特性（–55℃ to +125℃），特别适合对相位噪声、频率漂移和可靠性要求严苛的高端模拟与射频应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电容器 |
| 描述 | CAP CER 2.7PF 100V NP0 0402 |
| 产品分类 | 陶瓷电容器 |
| 品牌 | Kemet |
| 数据手册 | 点击此处下载产品Datasheethttp://capacitoredge.kemet.com/capedge2/DataSheet?pn=CBR04C279B1GAC |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CBR04C279B1GAC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CBR |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25569http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26226 |
| 其它名称 | 399-8592-6 |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 厚度（最大值） | 0.022"（0.55mm） |
| 大小/尺寸 | 0.039" 长 x 0.020" 宽（1.00mm x 0.50mm） |
| 安装类型 | 表面贴装，MLCC |
| 容差 | ±0.1pF |
| 封装/外壳 | 0402（1005 公制） |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 应用 | RF，微波，高频 |
| 引线形式 | - |
| 引线间距 | - |
| 标准包装 | 1 |
| 温度系数 | C0G，NP0 |
| 特性 | 高 Q 值，低损耗 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/kemet-cbr-rf-ceramics/1028http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/hiqcbr-series/50483 |
| 电压-额定 | 100V |
| 电容 | 2.7pF |
| 等级 | - |
| 高度-安装（最大值） | - |
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