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- 型号： CBR02C608C3GAC
- 制造商： Kemet
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CBR02C608C3GAC由Kemet设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CBR02C608C3GAC价格参考。KemetCBR02C608C3GAC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CBR02C608C3GAC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CBR02C608C3GAC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
KEMET CBR02C608C3GAC 是一款高性能X7R介质、0201封装（0.6 mm × 0.3 mm）、60 pF ±0.25 pF容差、25 V额定电压的多层陶瓷电容器（MLCC）。其典型应用场景包括： - 高频去耦与旁路：广泛用于智能手机、可穿戴设备、蓝牙/Wi-Fi模组等便携式电子产品的电源引脚附近，为射频（RF）收发器、基带处理器、PMIC等提供低感抗、高自谐振频率（SRF）的局部储能与噪声抑制。 - 射频匹配网络：凭借小尺寸、高精度（C级容差±0.25 pF）及优异的高频稳定性，适用于5G前端模块（FEM）、天线调谐电路、PA输出匹配等对容值敏感的RF阻抗匹配环节。 - 高速数字电路信号完整性保障：在DDR/LPDDR内存接口、MIPI CSI/DSI链路等高速信号路径中，用作端接或AC耦合电容，满足低ESL/ESR和稳定电容值要求。 - 汽车电子（AEC-Q200兼容型号）：适用于车载信息娱乐系统（IVI）、ADAS摄像头模块等对空间和可靠性要求严苛的二级应用（需确认具体批次是否通过AEC-Q200认证）。 该器件采用KEMET专有贵金属电极（NME）工艺，具备良好的温度特性（X7R：±15% @ −55°C to +125°C）和抗老化性能，适合回流焊工艺，是高密度、高频、小型化设计的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电容器 |
| 描述 | CAP CER 0.6PF 25V NP0 0201 |
| 产品分类 | 陶瓷电容器 |
| 品牌 | Kemet |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CBR02C608C3GAC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CBR |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25569http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26226 |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 厚度（最大值） | 0.013"（0.33mm） |
| 大小/尺寸 | 0.024" 长 x 0.012" 宽（0.60mm x 0.30mm） |
| 安装类型 | 表面贴装，MLCC |
| 容差 | ±0.25pF |
| 封装/外壳 | 0201（0603 公制） |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 应用 | RF，微波，高频 |
| 引线形式 | - |
| 引线间距 | - |
| 标准包装 | 15,000 |
| 温度系数 | C0G，NP0 |
| 特性 | 高 Q 值，低损耗 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/kemet-cbr-rf-ceramics/1028 |
| 电压-额定 | 25V |
| 电容 | 0.60pF |
| 等级 | - |
| 高度-安装（最大值） | - |
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