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详细数据请看参考数据手册
- 型号： CBR02C569B8GAC
- 制造商： Kemet
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CBR02C569B8GAC由Kemet设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CBR02C569B8GAC价格参考。KemetCBR02C569B8GAC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CBR02C569B8GAC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CBR02C569B8GAC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
KEMET CBR02C569B8GAC 是一款高性能车规级多层陶瓷电容器（MLCC），属于CBR系列，符合AEC-Q200标准。其标称参数为5.6 pF、±0.1 pF精度（B容差）、额定电压8 V DC、尺寸0201（0.6 mm × 0.3 mm），采用超低损耗C0G/NP0介质，具有极佳的温度稳定性（±30 ppm/℃）、无直流偏压效应、低ESR和高Q值。 该器件典型应用于高频、高可靠性场景： - 射频前端电路：如5G/Wi-Fi 6E/蓝牙模块中的阻抗匹配、谐振调谐与滤波，利用其超小尺寸和C0G材料在GHz频段的稳定电容特性； - 精密振荡与时钟电路：为晶体振荡器（XO）或VCO提供高稳定负载电容，保障频率精度与时序完整性； - 汽车电子系统：适用于ADAS传感器（如毫米波雷达接收链路）、车载信息娱乐系统的RF收发模块，满足严苛的温度循环（−55°C ~ +125°C）与振动要求； - 医疗与工业传感设备：在低功耗、高精度模拟前端（如ADC参考去耦、传感器信号调理）中提供纯净、无相位漂移的旁路与耦合功能。 因其0201超小型封装及高精度C0G特性，特别适合空间受限且对寄生参数敏感的高频微型化设计。注意：8 V额定电压较低，仅适用于低压RF信号路径，不可用于电源去耦等高压场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电容器 |
| 描述 | CAP CER 5.6PF 10V NP0 0201 |
| 产品分类 | 陶瓷电容器 |
| 品牌 | Kemet |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CBR02C569B8GAC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CBR |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25569http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26226 |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 厚度（最大值） | 0.013"（0.33mm） |
| 大小/尺寸 | 0.024" 长 x 0.012" 宽（0.60mm x 0.30mm） |
| 安装类型 | 表面贴装，MLCC |
| 容差 | ±0.1pF |
| 封装/外壳 | 0201（0603 公制） |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 应用 | RF，微波，高频 |
| 引线形式 | - |
| 引线间距 | - |
| 标准包装 | 15,000 |
| 温度系数 | C0G，NP0 |
| 特性 | 高 Q 值，低损耗 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/kemet-cbr-rf-ceramics/1028 |
| 电压-额定 | 10V |
| 电容 | 5.6pF |
| 等级 | - |
| 高度-安装（最大值） | - |
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