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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BZX585-B2V7,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZX585-B2V7,115价格参考。NXP SemiconductorsBZX585-B2V7,115封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 2.7V 300mW ±2% Surface Mount SOD-523。您可以下载BZX585-B2V7,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BZX585-B2V7,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的 BZX585-B2V7,115 是一款单齐纳二极管,其主要应用场景如下: 1. 电压稳压 BZX585-B2V7,115 的核心功能是提供稳定的参考电压。它可以在电路中用作稳压元件,确保输出电压在一定范围内保持恒定。例如,在电源电路中,该齐纳二极管可以用于将输入电压稳定在一个特定的值(如2.7V),从而为后续电路提供稳定的供电。 2. 过压保护 该二极管可以用于防止电路中的瞬态过压现象。当电路中的电压超过设定的阈值时,齐纳二极管会导通,将多余的电压泄放到地,从而保护敏感的电子元件免受损坏。这种应用常见于电源线、信号线等易受电压波动影响的场合。 3. 电压基准源 在需要精确电压参考的应用中,BZX585-B2V7,115 可以作为电压基准源。例如,在模拟电路中,它可以为运算放大器、比较器等提供稳定的参考电压,确保这些器件的工作精度。 4. 信号电平转换 齐纳二极管还可以用于信号电平转换。通过调整输入信号的幅度,使其不超过齐纳电压,从而实现信号的钳位或限幅。这在通信系统和传感器接口中非常有用,能够防止信号超出允许范围。 5. 温度补偿 由于齐纳二极管的反向击穿电压会随温度变化而略有不同,因此在某些精密电路中,BZX585-B2V7,115 可以与其他温度敏感元件配合使用,进行温度补偿,以提高电路的稳定性。 6. 浪涌抑制 在电力电子设备中,BZX585-B2V7,115 可以用于抑制瞬态浪涌电流。例如,在开关电源、电机驱动等应用中,它可以吸收短时间内出现的高电压脉冲,保护电路中的其他元件。 总之,BZX585-B2V7,115 齐纳二极管凭借其稳定的反向击穿电压特性,广泛应用于电压稳压、过压保护、电压基准源、信号电平转换、温度补偿和浪涌抑制等多种场景中,确保电路的稳定性和可靠性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 2.7V 300MW SOD523稳压二极管 DIODE ZENER 2 PCT |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors BZX585-B2V7,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BZX585-B2V7,115 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.1V @ 100mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 20µA @ 1V |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOD-523 |
| 其它名称 | 934055857115 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 功率耗散 | 300 mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±2% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-79,SOD-523 |
| 封装/箱体 | SC-79 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 20 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 100 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 2.7V |
| 电压容差 | 2 % |
| 电压温度系数 | - 1.4 mV/K |
| 配置 | Single |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 100 欧姆 |
| 零件号别名 | BZX585-B2V7 T/R |
| 齐纳电压 | 2.7 V |