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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BZM55C6V2-TR由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZM55C6V2-TR价格参考¥0.19-¥0.24。VishayBZM55C6V2-TR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BZM55C6V2-TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BZM55C6V2-TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Semiconductor Diodes Division 生产的 BZM55C6V2-TR 是一款齐纳二极管,属于“二极管 - 齐纳 - 单”类别。其主要应用场景包括: 1. 电压稳压:BZM55C6V2-TR 的核心功能是提供稳定的参考电压。它可以在电源电路中用作电压调节器,确保输出电压在一定范围内保持恒定,适用于低功率电路中的电压稳定需求。 2. 过压保护:该齐纳二极管可用于保护敏感电子元件免受过高电压的影响。当输入电压超过设定值时,齐纳二极管会导通并分流多余电流,从而避免后级电路受损。 3. 信号电平调整:在信号处理电路中,BZM55C6V2-TR 可用于将输入信号限制在特定的电压范围内,防止信号幅度过大导致失真或损坏后续放大器或其他组件。 4. 基准电压源:由于其稳定的反向击穿特性,这款齐纳二极管可以作为精密基准电压源使用,例如在模拟电路、比较器或 ADC/DAC 电路中提供准确的参考电压。 5. 钳位电路:在高速数据传输或射频电路中,齐纳二极管可以用作钳位器件,限制信号的上下电压范围,以满足特定的电气规范要求。 6. 电池充电管理:在简单电池充电电路中,BZM55C6V2-TR 可帮助监控和控制充电电压,防止过充现象发生。 需要注意的是,BZM55C6V2-TR 的额定齐纳电压为 6.2V(±5% 精度),最大功耗较低(通常为 400mW 或更小),因此适合应用于低功耗、中小电流场景。在实际设计中,应根据具体电路需求选择合适的散热措施和配套元件,以确保齐纳二极管正常工作并延长使用寿命。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | DIODE ZENER 500MW 6.2V MICROMELF稳压二极管 6.2 Volt 0.5W 5% |
产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
品牌 | Vishay SemiconductorsVishay Semiconductor Diodes Division |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,Vishay Semiconductors BZM55C6V2-TR- |
数据手册 | |
产品型号 | BZM55C6V2-TRBZM55C6V2-TR |
不同If时的电压-正向(Vf) | 1.5V @ 200mA |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 2V |
产品种类 | 稳压二极管 |
供应商器件封装 | MicroMELF |
其它名称 | BZM55C6V2GIDKR |
功率-最大值 | 500mW |
功率耗散 | 500 mW |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | Vishay Semiconductors |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
容差 | - |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 2-SMD |
封装/箱体 | DO-213AB |
工作温度 | 175°C |
工厂包装数量 | 2500 |
最大反向漏泄电流 | 100 nA |
最大工作温度 | + 175 C |
最大齐纳阻抗 | 10 Ohms |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 1 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 6.2V |
电压容差 | 6 % |
电压温度系数 | 0.045 %/C |
配置 | Single |
阻抗(最大值)(Zzt) | 10 欧姆 |
齐纳电压 | 6.2 V |