Datasheet下载- 型号： BZB84-B3V9,215
- 制造商： NXP Semiconductors
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BZB84-B3V9,215由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZB84-B3V9,215价格参考。NXP SemiconductorsBZB84-B3V9,215封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BZB84-B3V9,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BZB84-B3V9,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BZB84-B3V9,215 是 Nexperia 推出的双齐纳二极管阵列（SOT-23 封装，含两个独立 3.9 V 齐纳管），典型击穿电压为 3.9 V（容差 ±5%），最大功率 300 mW，低动态阻抗。其主要应用场景包括： 1. 电压钳位与过压保护：用于 USB、I²C、GPIO 等低压数字接口，防止瞬态电压（如 ESD、感应噪声）损坏 MCU 或传感器；两路独立结构可同时保护双向信号线（如数据线 D+ 和 D−）或电源/地路径。 2. 精密稳压参考源：在低功耗便携设备（如可穿戴设备、IoT 传感器节点）中，为 ADC 基准、比较器阈值或微控制器复位电路提供稳定 3.9 V 参考电压（需配合限流电阻使用）。 3. 逻辑电平转换与箝位：在不同电压域（如 3.3 V ↔ 5 V）接口中，将信号峰值箝位至 3.9 V，避免高电平超标，提升系统兼容性与鲁棒性。 4. ESD 防护增强：符合 IEC 61000-4-2 Level 4（±8 kV 接触放电）标准，常作为二级防护器件，与 TVS 或前端滤波协同使用。 其 SOT-23 小型封装、低寄生参数及双通道集成特性，特别适用于空间受限、需双路保护/稳压的消费电子、工业控制和汽车电子（非安全关键模块）等场景。注意：不适用于大电流稳压，仅限小信号或瞬态保护应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER DUAL 3.9V TO236AB稳压二极管 Diode Zener Dual Com Anode3.9V 250mW 3Pin |
| 产品分类 | 二极管/齐纳阵列分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | http://www.nxp.com/documents/data_sheet/BZB84_SER.pdf?ecmp=mouser |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors BZB84-B3V9,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BZB84-B3V9,215 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 3µA @ 1V |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 934061706215 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 功率耗散 | 300 mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±2% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | TO-236AB |
| 工作温度 | - |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 3 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 90 Ohms |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 3.9V |
| 电压容差 | 2 % |
| 电压温度系数 | - 1.75 mV/K |
| 配置 | Dual Common Anode |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 90 欧姆 |
| 齐纳电压 | 3.9 V |
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