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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK9E1R9-40E由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK9E1R9-40E价格参考。NXP SemiconductorsBUK9E1R9-40E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BUK9E1R9-40E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BUK9E1R9-40E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BUK9E1R9-40E 是 NXP Semiconductors 推出的一款高性能逻辑电平增强型 N 沟道 MOSFET(注意:它并非双极性晶体管(BJT),而是 MOSFET,分类归属有误)。该器件采用 LFPAK56 封装,具有极低导通电阻(RDS(on) ≤ 1.9 mΩ @ VGS = 10 V)、40 V 耐压、额定连续漏极电流达 120 A(Tc = 25°C),并集成稳健的体二极管与雪崩耐量。 典型应用场景包括: ✅ 汽车电子:车载电机控制(如车窗、座椅、雨刮驱动)、LED 照明调光/开关、DC-DC 转换器(如 12 V → 5 V/3.3 V 电源模块); ✅ 工业控制:高效率固态继电器(SSR)、PLC 输出级、步进/直流电机驱动桥臂; ✅ 电源管理:同步整流、负载开关(支持热插拔与过流保护)、电池保护电路(如 BMS 中的充放电主开关); ✅ 消费电子:高端服务器/通信设备中的高效 POL(Point-of-Load)电源、大电流 USB PD 供电路径管理。 其逻辑电平驱动特性(VGS(th) 低至 1.0–2.1 V)可直接由 MCU 或 FPGA 的 3.3 V/5 V IO 驱动,无需额外电平转换或驱动 IC,显著简化设计、提升系统可靠性与能效。需特别注意:选型时应确认其实际为 MOSFET,而非 BJT,以避免驱动、散热及电路设计误用。