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  • 型号: BUK7E5R2-100E,127
  • 制造商: NXP Semiconductors
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BUK7E5R2-100E,127由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK7E5R2-100E,127价格参考。NXP SemiconductorsBUK7E5R2-100E,127封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BUK7E5R2-100E,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BUK7E5R2-100E,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BUK7E5R2-100E,127 是 Nexperia 推出的一款 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET,采用 LFPAK56(Power-SO8)封装,具有低导通电阻(RDS(on) 典型值仅 5.2 mΩ @ VGS = 10 V,4.8 mΩ @ 4.5 V)、高雪崩耐量及AEC-Q101汽车级认证。其主要应用场景包括:

- 汽车电子系统:广泛用于车身控制模块(BCM)、座椅/车窗/雨刮电机驱动、LED前照灯/尾灯调光与开关、电子风扇控制等需高可靠性、耐高温(Tj达175°C)和抗瞬态干扰的场合;  
- 工业电源管理:适用于DC-DC转换器次级侧同步整流、负载开关、热插拔电路及可编程电源输出级,得益于低RDS(on)和快速开关特性(ton/toff约数十纳秒),可提升效率并减小散热需求;  
- 消费类设备:在高端电动工具、无人机电调、便携式医疗设备等对能效与尺寸敏感的应用中,作为高效功率开关使用;  
- 电池管理系统(BMS):用于电池保护电路中的充放电主回路开关,支持100 V额定电压和高达75 A脉冲电流(Tc=25°C),满足过流/短路保护响应要求。

该器件支持逻辑电平驱动(兼容3.3 V/5 V MCU),简化栅极驱动设计,且LFPAK56封装具备优异的热性能与PCB贴装鲁棒性,适合自动化生产。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

NXP Semiconductors

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

BUK7E5R2-100E,127

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

TrenchMOS™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

11810pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

180nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

5.2 毫欧 @ 25A,10V

供应商器件封装

I2PAK

其它名称

568-9856-5
934066518127
BUK7E5R2100E127

功率-最大值

349W

包装

管件

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

120A (Tc)

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