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产品简介:
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BUK655R0-75C,127 是 NXP USA Inc. 推出的一款 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET(单个封装),具有低导通电阻(RDS(on) ≤ 5.0 mΩ @ VGS = 10 V,典型值;≤ 7.5 mΩ @ VGS = 4.5 V)、75 V 耐压、高连续漏极电流(ID = 80 A,Tc = 25°C)及优化的开关特性。 其典型应用场景包括: ✅ 汽车电子系统:如车身控制模块(BCM)中的车灯驱动(前照灯、尾灯、转向灯)、雨刮电机、座椅/车窗升降电机等中功率负载开关;符合 AEC-Q101 可靠性标准,支持严苛车载环境。 ✅ 工业电源与电机控制:用于 DC-DC 降压转换器(Buck)、有源钳位电路、H 桥驱动中的高端/低端开关,以及小型直流无刷电机(BLDC)或步进电机的相位驱动。 ✅ 高效率电源管理:在服务器/通信设备的热插拔电路、OR-ing 二极管替代方案、负载开关(Load Switch)中实现低损耗通断控制。 ✅ 消费类设备:如电动工具、UPS、智能家电中的电池保护板(充放电回路)、电源输入级保护开关等。 该器件采用 TO-220AB 封装,散热性能良好,配合逻辑电平驱动(兼容 3.3 V/5 V MCU 直接驱动),简化外围电路设计,兼顾高效性与易用性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH TRENCH TO220AB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | BUK655R0-75C,127 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.8V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 11400pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 177nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 5.3 毫欧 @ 25A,10V |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 568-7502-5 |
| 功率-最大值 | 263W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 75V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 120A (Tmb) |