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Datasheet下载- 型号： BSP19,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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BSP19,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BSP19,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSP19,115价格参考。NXP SemiconductorsBSP19,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， Bipolar (BJT) Transistor NPN 350V 100mA 70MHz 1.2W Surface Mount SOT-223。您可以下载BSP19,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSP19,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 BSP19,115 是一款双极结型晶体管（BJT），属于NPN型单晶体管，常用于中等功率的开关和放大应用。该器件具有较高的电流增益和良好的开关特性，适用于消费电子、工业控制和电源管理等领域。 典型应用场景包括： 1. 开关电路：BSP19,115可用于驱动继电器、LED、小型电机等负载，适合在数字控制电路中作为通断开关使用，例如微控制器输出信号的功率放大与驱动。 2. 信号放大：在音频或低频信号处理电路中，可作为前置放大器或缓冲级，提升信号强度。 3. 电源管理：在稳压电源或DC-DC转换电路中，用于电流调节或保护电路中的传感与控制部分。 4. 消费电子产品：如电视、机顶盒、家用电器控制板中，用于实现各类逻辑控制与接口驱动功能。 该器件采用SOT223封装，具备良好的散热性能，适合表面贴装工艺，便于自动化生产。其可靠性和稳定性使其在工业环境和批量产品中广泛应用。总体而言，BSP19,115是一款通用型中功率BJT，适用于对成本、性能和可靠性有均衡要求的中低端应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS NPN 350V 50MA SOT223两极晶体管 - BJT TRANS HV TAPE-7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors BSP19,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BSP19,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 500mV @ 4mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 40 @ 20mA，10V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SC-73 |
| 其它名称 | 568-6958-2 |
| 功率-最大值 | 1.2W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 70 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 1200 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.1 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 350V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 40 at 20 mA at 10 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 40 at 20 mA at 10 V |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 350 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 400 V |
| 零件号别名 | BSP19 T/R |
| 频率-跃迁 | 70MHz |
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