Datasheet下载- 型号： BD439G
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BD439G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BD439G价格参考￥1.25-￥1.25。ON SemiconductorBD439G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BD439G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BD439G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BD439G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双极性晶体管（BJT），属于 NPN 类型。它通常用于开关和放大电路中，适用于多种电子设备和场景。以下是 BD439G 的一些典型应用场景： 1. 电源管理 - BD439G 可用于直流电机驱动、继电器控制或其他低功率负载的开关应用。其较高的电流处理能力（集电极最大电流可达 8A）使其适合用作功率开关。 - 在线性稳压器或电压调节电路中，作为输出级晶体管提供稳定的电流输出。 2. 音频放大器 - BD439G 常用于音频功率放大器的设计中，特别是在多级放大电路中作为推动级或输出级晶体管。 - 它可以处理较大的信号摆幅，适用于需要高增益和大电流输出的音频应用。 3. 信号放大 - 在传感器信号调理电路中，BD439G 可用于放大微弱的输入信号，例如来自温度传感器、压力传感器等的信号。 - 它的高增益特性（典型值 hFE > 100）使其非常适合需要高灵敏度的放大场景。 4. 电机控制 - BD439G 能够驱动小型直流电机或步进电机，通过 PWM（脉宽调制）技术实现速度控制。 - 在机器人或自动化设备中，可用于控制电机的启动、停止和方向切换。 5. LED 驱动 - 在 LED 照明系统中，BD439G 可以用来驱动高亮度 LED 或 LED 灯串，支持恒流或调光功能。 - 其高电流承载能力使得它能够满足多颗 LED 并联或串联的需求。 6. 继电器驱动 - BD439G 可作为继电器驱动晶体管，将微控制器的逻辑电平信号转换为足够的电流来激活继电器线圈。 - 这种应用常见于工业控制系统、家用电器和汽车电子中。 7. 保护电路 - 在过流保护或短路保护电路中，BD439G 可以作为关键元件，检测异常电流并切断负载。 总结 BD439G 的主要特点是高电流能力、高增益以及良好的热稳定性，这使得它在各种电力电子和信号处理应用中表现出色。无论是消费电子、工业控制还是汽车电子领域，BD439G 都是一款可靠且经济高效的解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN 60V 4A BIPO TO-225AA两极晶体管 - BJT 4A 60V 36W NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor BD439G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BD439G |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 800mV @ 300mA，3A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 40 @ 500mA，1V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | TO-225AA |
| 功率-最大值 | 36W |
| 包装 | 散装 |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 3 MHz |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | TO-225AA，TO-126-3 |
| 封装/箱体 | TO-225-3 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 36 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 4 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 60V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 4A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 20 |
| 系列 | BD439 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 60 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 60 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.8 V |
| 集电极连续电流 | 4 A |
| 频率-跃迁 | 3MHz |
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