Datasheet下载- 型号： PBSS5230QAZ
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS5230QAZ由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS5230QAZ价格参考。NXP SemiconductorsPBSS5230QAZ封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PBSS5230QAZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PBSS5230QAZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PBSS5230QAZ 是 Nexperia 推出的一款高性能 NPN 型双极结型晶体管（BJT），采用小型无引线 SOT883（0.6×0.3×0.3 mm）封装，具备低饱和压降（VCE(sat) 典型值仅 0.14 V @ IC=2 A, IB=0.2 A）、高电流增益（hFE：200–450 @ IC=0.5 A）及优异的开关速度（tf < 20 ns），适用于空间受限、高效率、中等功率的开关与放大场景。 典型应用场景包括： ✅ 便携式电子设备电源管理——如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中的LED驱动、背光控制或负载开关； ✅ 电池供电系统——在BMS或充电路径管理中用作高效电子开关，降低导通损耗； ✅ 工业与汽车电子——用于车载USB充电模块、车身控制单元（BCM）中的继电器/电磁阀驱动，满足AEC-Q101认证（该型号为车规级器件）； ✅ DC-DC转换器辅助电路——如同步整流驱动、使能控制或反馈环路中的信号开关； ✅ 通用逻辑电平转换与接口缓冲——兼容1.8 V / 3.3 V / 5 V MCU GPIO直接驱动，实现高低电压域隔离切换。 其超小尺寸、低热阻和高可靠性，特别适合对PCB面积、功耗和长期稳定性要求严苛的紧凑型设计。需注意：使用时应确保基极限流电阻匹配，避免过驱动，并在高频开关应用中优化PCB布局以抑制寄生振荡。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PNP 30V 2A DFN1010D-3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | PBSS5230QAZ |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 210mV @ 50mA， 1A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 60 @ 2A， 2V |
| 供应商器件封装 | 3-DFN （1.1x1） |
| 功率-最大值 | 325mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN 裸露焊盘 |
| 晶体管类型 | PNP |
| 标准包装 | 5,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 30V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 2A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 频率-跃迁 | 170MHz |
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