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  • 型号: BSF885N03LQ3GXUMA1
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BSF885N03LQ3GXUMA1由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSF885N03LQ3GXUMA1价格参考。InfineonBSF885N03LQ3GXUMA1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BSF885N03LQ3GXUMA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSF885N03LQ3GXUMA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BSF885N03LQ3GXUMA1 是英飞凌(Infineon Technologies)推出的高性能N沟道增强型MOSFET,采用小型TSOP-6封装,具有低导通电阻(RDS(on) ≈ 12.5 mΩ @ VGS = 4.5 V)、快速开关特性及优异的热性能。其典型应用场景包括:

- 便携式电子设备电源管理:如智能手机、平板电脑、TWS耳机中的负载开关、电池保护电路及DC-DC转换器(如同步降压Buck转换器的高边/低边开关),得益于其低RDS(on)和小尺寸,可提升能效并节省PCB空间。

- LED驱动与背光控制:用于中小功率LED恒流驱动或LCD/OLED显示屏的区域调光(Local Dimming)开关,支持高频PWM调光,响应快、损耗低。

- 工业与消费类电源模块:在AC-DC适配器、USB PD充电器、PoE受电设备(PD)的次级侧同步整流或负载开关中,提供高可靠性和高效率。

- 电机驱动辅助电路:适用于微型直流电机(如风扇、振动马达)的H桥驱动中的单路开关或使能控制,尤其适合空间受限且需低静态功耗的设计。

该器件符合AEC-Q101(车规级)标准(注:BSF885N03LQ3GXUMA1为工业级,但同系列有车规版本;本型号属工业/消费级),具备ESD防护(HBM ≥ 2 kV)和强抗雪崩能力,适用于高可靠性、中低功率(<10 W典型应用)、高开关频率(可达1 MHz)场景。
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