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- 型号： BSC119N03MSCG
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BSC119N03MSCG由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSC119N03MSCG价格参考。InfineonBSC119N03MSCG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BSC119N03MSCG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSC119N03MSCG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BSC119N03MSCG 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的高性能N沟道增强型功率MOSFET，采用OptiMOS™ 6技术，具有超低导通电阻（RDS(on)典型值仅1.19 mΩ @ VGS=10V）、快速开关特性及优异的热性能。其主要应用场景包括： - 服务器与数据中心电源：用于同步整流、DC-DC降压转换器（如CPU/GPU供电的POL模块），提升能效（满足80 PLUS Titanium/PSU Tier IV要求）； - 通信设备电源系统：在5G基站电源、光模块供电等高密度、高效率场景中替代传统MOSFET，降低导通与开关损耗； - 工业电源与UPS：适用于高频LLC谐振变换器、半桥/全桥拓扑中的主开关或同步整流管，支持高功率密度设计； - 电动工具与电池管理系统（BMS）：凭借低RDS(on)和强雪崩耐受能力，适用于12–24V电池供电系统的电机驱动与保护电路； - 汽车电子（非车规级，但可扩展）：虽为工业级（无AEC-Q101认证），但常用于车载辅助电源、ADAS供电模块等对效率与散热有严苛要求的非安全关键应用。 该器件采用小型PG-TSDSON-8封装（3.3×3.3 mm²），支持高密度PCB布局，并具备卓越的dv/dt抗扰性与短路耐受能力（典型10 µs），适合高频（≥500 kHz）、高效率、紧凑型电源设计。
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图文手册
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