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- 型号： BSC029N025SG
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BSC029N025SG由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSC029N025SG价格参考。InfineonBSC029N025SG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BSC029N025SG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSC029N025SG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BSC029N025SG 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的高性能N沟道增强型功率MOSFET，采用OptiMOS™ 5技术，具有极低的导通电阻（RDS(on) = 2.9 mΩ @ VGS = 10 V）、高开关效率及优异的热性能。其典型应用场景包括： - 服务器与数据中心电源：用于CPU/GPU供电的同步降压（Buck）转换器中作为高侧或低侧开关，满足高电流（连续ID达120 A）、高效率、低损耗需求； - 通信设备电源模块：如5G基站电源、光模块供电单元，支持高频开关（可达1 MHz），减小磁性元件体积； - 工业电源与UPS系统：在DC-DC隔离/非隔离变换器、电池管理系统（BMS）充放电回路中提供可靠开关控制； - 电动工具与轻型电机驱动：配合半桥/全桥拓扑，实现高效PWM调速与能量回收； - 车载辅助电源（如12 V/48 V DC-DC转换）：具备AEC-Q101可靠性认证（该型号为工业级，但同系列有车规版本，设计可兼容严苛环境）。 其PG-TDSON-8封装（底部散热）支持优异的热传导，适用于紧凑型高功率密度设计。需注意：实际应用中应合理设计栅极驱动（避免振荡）、优化PCB布局（降低寄生电感）并配置适当散热措施以发挥最佳性能。
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