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  • 型号: BSB013NE2LXI
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BSB013NE2LXI由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSB013NE2LXI价格参考。InfineonBSB013NE2LXI封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BSB013NE2LXI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSB013NE2LXI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 25V 163A WDSON-2MOSFET N-Channel 25V MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

163 A

Id-连续漏极电流

163 A

品牌

Infineon Technologies

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Infineon Technologies BSB013NE2LXIOptiMOS™

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/BSB013NE2LXI_Rev+2.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432e398416012e47a158802577

产品型号

BSB013NE2LXI

Pd-PowerDissipation

57 W

Pd-功率耗散

57 W

Qg-GateCharge

62 nC

Qg-栅极电荷

62 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

1.3 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

1.3 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

25 V

Vds-漏源极击穿电压

25 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

1.2 V to 2 V

Vgsth-栅源极阈值电压

1.2 V to 2 V

上升时间

6.4 ns

下降时间

4.8 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

4400pF @ 12V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

62nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1.3 毫欧 @ 30A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

MG-WDSON-2,CanPAK M™

其它名称

BSB013NE2LXIDKR

典型关闭延迟时间

32 ns

功率-最大值

2.8W

包装

Digi-Reel®

商标

Infineon Technologies

商标名

OptiMOS

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

3-WDSON

封装/箱体

WDSON-2

工厂包装数量

5000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 40 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

170 S

漏源极电压(Vdss)

25V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

36A (Ta), 163A (Tc)

系列

BSB013NE2

通道模式

Enhancement

配置

Single Dual Drain Dual Source

零件号别名

BSB013NE2LXIXUMA1 SP000756346

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