Datasheet下载- 型号： BQ4011MA-200
- 制造商： Texas Instruments
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BQ4011MA-200由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BQ4011MA-200价格参考。Texas InstrumentsBQ4011MA-200封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BQ4011MA-200参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BQ4011MA-200 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BQ4011MA-200 是德州仪器（Texas Instruments）推出的一款非易失性静态RAM（NVSRAM），而非传统意义上的存储器（如DRAM、Flash），其核心特点是将SRAM的高速读写性能与EEPROM/Flash的断电数据保持能力集成于一体，无需外部电池即可实现数据永久保存。 该器件典型应用场景包括： - 工业控制系统：用于PLC、DCS等设备中保存关键运行参数、校准数据或故障日志，在意外断电时确保数据不丢失； - 通信设备：在路由器、基站模块中存储配置信息、MAC地址表或会话状态，支持快速上电恢复； - 医疗电子设备：如监护仪、便携式诊断设备，用于可靠保存患者设置、测量校准值及紧急事件记录； - 智能电表与能源管理系统：持久记录用电数据、峰值时间戳和安全密钥，满足计量可靠性与防篡改要求； - 汽车电子（符合工业级温度范围）：用于车身控制模块（BCM）或ADAS辅助系统中暂存实时传感器配置与自检结果。 需注意：BQ4011MA-200为256Kbit（32K × 8）并行接口NVSRAM，访问时间为200ns，采用SOIC-28封装，工作温度范围为–40°C 至 +85°C，适用于对数据可靠性、写入寿命（无限次写操作）及零电池维护有严苛要求的嵌入式场景。 （注：TI官方已将该型号列为“Not Recommended for New Designs”，建议新项目评估替代型号如BQ4013或新型NVSRAM/FRAM方案。）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC NVSRAM 256KBIT 200NS 28DIP |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BQ4011MA-200 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 28-DIP 模块（18.42x37.72） |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | NVSRAM（非易失 SRAM） |
| 存储容量 | 256K （32K x 8） |
| 封装/外壳 | 28-DIP 模块（0.61"，15.49mm） |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 42 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 4.75 V ~ 5.5 V |
| 速度 | 200ns |
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