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  • 型号: BQ4011LYMA-70N
  • 制造商: Texas Instruments
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BQ4011LYMA-70N由Texas Instruments设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BQ4011LYMA-70N价格参考。Texas InstrumentsBQ4011LYMA-70N封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BQ4011LYMA-70N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BQ4011LYMA-70N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BQ4011LYMA-70N 是德州仪器(Texas Instruments)推出的一款非易失性静态RAM(NVSRAM),而非传统意义上的存储器(如EEPROM、Flash或SDRAM)。其核心特点是:在断电时无需外部电池即可自动将SRAM数据保存至内部EEPROM,上电后自动恢复,兼具SRAM的高速读写(70ns访问时间)与非易失性数据保持能力(典型保持10年)。

主要应用场景包括:  
- 工业自动化设备:PLC、DCS控制器中用于保存实时运行参数、校准数据、故障日志等关键状态信息,确保意外断电不丢失;  
- 通信基础设施:基站、路由器中的配置寄存器、MAC地址表、会话上下文缓存,需高速访问且断电可靠保存;  
- 医疗电子设备:监护仪、输液泵等对数据完整性要求严苛的场景,用于存储患者设置、报警阈值及运行历史;  
- 智能电表与能源管理系统:保存累计电量、事件记录(如失压、断相时间戳),满足计量法规对数据持久性的强制要求;  
- 汽车电子(车载信息娱乐/ADAS辅助模块):在宽温(–40°C 至 +85°C)、高振动环境下,可靠暂存系统配置和诊断代码(DTC)。

需注意:该器件已进入TI的生命周期终止(NRND)阶段,不再推荐用于新设计,但仍在部分工业存量设备中服役。替代方案可考虑TI的BQ4013系列或同类NVSRAM产品。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

集成电路 (IC)

描述

IC NVSRAM 256KBIT 70NS 28DIP

产品分类

存储器

品牌

Texas Instruments

数据手册

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产品图片

产品型号

BQ4011LYMA-70N

PCN过时产品

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

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供应商器件封装

28-DIP 模块(18.42x37.72)

其它名称

296-22088-5

包装

托盘

存储器类型

NVSRAM(非易失 SRAM)

存储容量

256K (32K x 8)

封装/外壳

28-DIP 模块(0.61",15.49mm)

工作温度

-40°C ~ 85°C

接口

并联

标准包装

12

格式-存储器

RAM

电压-电源

3 V ~ 3.6 V

速度

70ns

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