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详细数据请看参考数据手册
- 型号： BLV32F
- 制造商： Advanced Semiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLV32F由Advanced Semiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLV32F价格参考。Advanced Semiconductor, Inc.BLV32F封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLV32F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLV32F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 品牌 | Advanced Semiconductor, Inc. |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | 射频双极晶体管 RF Transistor |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,Advanced Semiconductor, Inc. BLV32F |
| 产品型号 | BLV32F |
| 产品种类 | 射频双极晶体管 |
| 功率耗散 | 82 W |
| 发射极-基极电压VEBO | 4 V |
| 商标 | Advanced Semiconductor, Inc. |
| 安装风格 | Screw |
| 封装 | Tray |
| 封装/箱体 | Case 316-01 |
| 技术 | Silicon |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | Bipolar Power |
| 最大工作温度 | + 200 C |
| 最大工作频率 | 224 MHz |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 20 |
| 类型 | RF Bipolar Power |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 32 V |
| 集电极连续电流 | 4 A |
| 频率 | 224 MHz |
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