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- 型号： BLF8G27LS-150GVQ
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF8G27LS-150GVQ由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF8G27LS-150GVQ价格参考。NXP SemiconductorsBLF8G27LS-150GVQ封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF8G27LS-150GVQ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF8G27LS-150GVQ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLF8G27LS-150GVQ 是 Ampleon USA Inc. 推出的高性能 LDMOS 射频功率晶体管，工作频率范围为 2.4–2.7 GHz，典型输出功率达 150 W（连续波），适用于高效率、高线性度的宽带射频放大场景。其主要应用场景包括： • 5G 宏基站功率放大器（PA）：特别适配 2.6 GHz 频段（如 n41/n7）的 TDD 基站发射链路，支持高平均功率与高PAR信号（如OFDMA、DFT-s-OFDM）； • 广播与无线通信基础设施：用于 UHF 频段数字电视（DTV）、公共安全通信（如TETRA、P25）及专网无线系统的末级功放； • 工业与科研射频源：如等离子体发生器、RF 加热设备及EMC测试用大功率信号源； • 雷达系统：适用于中程S波段雷达（如气象雷达、机场地面监视雷达）的发射模块，具备良好脉冲响应与热稳定性。 该器件采用气腔陶瓷封装（SOT-1222A），集成ESD保护与优化的输入/输出匹配结构，支持高增益（>18 dB）、高漏极效率（典型65%@2.65 GHz）及优异的热管理能力，适合风冷或液冷散热设计。需配合Ampleon推荐的驱动级（如BLF2425M9LS）及校准算法（DPD）以发挥最佳线性性能。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR RF PWR CDFM6 ACC-6L |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | BLF8G27LS-150GVQ |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | CDFM6 |
| 其它名称 | 934067537127 |
| 功率-输出 | 45W |
| 包装 | 管件 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 18dB |
| 封装/外壳 | SOT-1244C |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 24 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.3A |
| 频率 | 2.6GHz ~ 2.7GHz |
| 额定电流 | - |
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