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- 型号： BLF8G20LS-230VJ
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF8G20LS-230VJ由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF8G20LS-230VJ价格参考。NXP SemiconductorsBLF8G20LS-230VJ封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF8G20LS-230VJ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF8G20LS-230VJ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLF8G20LS-230VJ 是一款由Ampleon（原NXP射频部门）推出的高性能LDMOS射频功率晶体管，专为2.0–2.3 GHz频段设计。其典型应用场景包括： - 5G宏基站发射链路：适用于2.1 GHz/2.3 GHz频段的Sub-6 GHz 5G基站功放（PA）模块，支持高效率、高线性度的多载波信号放大（如2×20 MHz LTE或5G NR），满足3GPP Class A/B线性要求。 - 广播与无线通信基础设施：用于数字电视（DTMB/TD-LTE融合场景）、公共安全通信系统及专用无线宽带（如TETRA、P25增强型）中的中高功率射频末级放大器。 - 工业与科研射频源：在RF加热、等离子体发生器、MRI射频激励源等需要稳定2.3 GHz附近连续波（CW）或脉冲输出的工业设备中，提供高达230 W（峰值）的输出功率和优异的热稳定性（采用陶瓷封装+铜底座，支持风冷/液冷）。 该器件具备高增益（典型17 dB）、高漏极效率（>65% @ 2.14 GHz）、良好VSWR耐受性（10:1负载失配不损坏），并集成ESD保护与温度监控功能，适用于严苛的室外基站环境。需配合匹配网络与驱动级电路使用，常见于分布式天线系统（DAS）和小型化有源天线单元（AAU）设计中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS RF 230W LDMOS CDFM6 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | BLF8G20LS-230VJ |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | CDFM6 |
| 其它名称 | 934067961118 |
| 功率-输出 | 55W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 18dB |
| 封装/外壳 | SOT-1239B |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 100 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.8A |
| 频率 | 1.81GHz ~ 1.88GHz |
| 额定电流 | - |
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