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详细数据请看参考数据手册
- 型号： BLF879P,112
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF879P,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF879P,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF879P,112封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF879P,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF879P,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLF879P,112 是 Ampleon USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS 功率晶体管，专为高频、高效率、高线性度的射频功率放大应用设计。其典型应用场景包括： - 广播发射系统：适用于 FM 广播（87.5–108 MHz）和 TV 甚高频（VHF）波段（如 174–230 MHz），常用于中功率（数百瓦级）地面数字电视（DTMB、ATSC 3.0）及模拟/数字 FM 发射机末级功放。 - 无线通信基础设施：支持陆地移动无线电（LMR）、公共安全通信（如 TETRA、P25）基站中的宽带射频功放模块，尤其适合需高可靠性与热稳定性的固定式或车载式基站。 - 工业与科学射频源：用于等离子体发生器、RF 加热（如半导体工艺中的射频溅射、感应加热电源）等需要连续波（CW）或调制信号下稳定输出的工业设备。 该器件采用陶瓷封装（SOT539A），具备高增益（典型18 dB @ 100 MHz）、高效率（>75% @ CW）、优异的输入/输出匹配特性及内置ESD保护，支持宽带匹配设计，简化外围电路。其额定输出功率达900 W（CW），峰值功率更高，适用于严苛环境下的连续高功率运行。 注意：实际应用需严格遵循Ampleon官方数据手册的偏置条件、散热要求（建议强制风冷或水冷）及PCB布局规范，以确保长期可靠性与线性度性能。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR UHF PWR LDMOS SOT539A |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLF879P,112 |
| PCN封装 | |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | SOT539A |
| 其它名称 | 568-7552 |
| 功率-输出 | 95W |
| 包装 | 托盘 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 20dB |
| 封装/外壳 | SOT539A |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 42V |
| 电压-额定 | - |
| 电流-测试 | 1.3A |
| 频率 | 470MHz ~ 860MHz |
| 额定电流 | - |
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