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Datasheet下载- 型号： BLF647PSJ
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF647PSJ由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF647PSJ价格参考。NXP SemiconductorsBLF647PSJ封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet LDMOS（双），共源 32V 100mA 1.3GHz 17.5dB 200W LDMOST。您可以下载BLF647PSJ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF647PSJ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLF647PSJ是Ampleon USA Inc.生产的一款射频MOSFET晶体管，广泛应用于高功率射频放大场景。该器件适用于工业、科学和医疗（ISM）频段的射频能量应用，如感应加热、介质加热和等离子发生设备。其工作频率范围宽，可在1 MHz至300 MHz之间高效运行，具备高输出功率和良好的热稳定性，适合在严苛环境下持续工作。 BLF647PSJ采用先进的LDMOS技术，具有高增益、高效率和出色的耐用性，能够承受较高的电压驻波比（VSWR），增强了系统可靠性。它常用于广播发射机中的射频功率放大级，支持AM、FM及数字音频广播系统。此外，也适用于陆地移动通信基站和通用射频放大模块，在需要高线性度和稳定输出的场合表现优异。 该器件采用坚固的封装设计，便于散热和集成到大型射频系统中，支持源极接地配置，简化了匹配网络设计。因其高性能和可靠性，BLF647PSJ被广泛用于要求严苛的工业加热设备和专业通信基础设施中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS RF 200W LDMOS SOT1121B |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | BLF647PSJ |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | CDFM4 |
| 其它名称 | 934066857118 |
| 功率-输出 | 200W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 17.5dB |
| 封装/外壳 | SOT-1121B |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 100 |
| 电压-测试 | 32V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 100mA |
| 频率 | 1.3GHz |
| 额定电流 | - |
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