【未分类_BFP196E6327】封装/厂家_BFP196E6327中文资料_价格

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型号： BFP196E6327
制造商： Infineon
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BFP196E6327由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFP196E6327价格参考。InfineonBFP196E6327封装/规格：未分类，暂无。您可以下载BFP196E6327参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BFP196E6327 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BFP196E6327 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的高性能NPN硅射频双极晶体管（RF BJT），采用SOT-343（SC-70）封装，专为高频、低噪声放大应用优化。其典型工作频率达5 GHz，具有高增益（fₜ ≈ 25 GHz）、低噪声系数（NF ≈ 1.1 dB @ 1.8 GHz）和良好线性度，适用于小信号射频前端。

主要应用场景包括：  
✅ 蜂窝通信终端：GSM/EDGE、WCDMA（UMTS）及LTE Band 1/3/5/8等频段的接收机低噪声放大器（LNA）；  
✅ 无线基础设施：小型基站（pico/femto cell）和射频拉远单元（RRU）中的驱动级或预驱放大；  
✅ 物联网与短距无线：Wi-Fi 2.4 GHz（IEEE 802.11b/g/n）和蓝牙系统的接收链路LNA；  
✅ 汽车电子：车载远程信息处理（Telematics）、V2X（如DSRC 5.9 GHz初代方案）中的射频接收模块；  
✅ 工业与消费类射频模块：GPS/GNSS接收前端、无线音频传输、遥控遥测设备等对成本、尺寸与性能有平衡要求的场景。

该器件支持+3 V至+5 V单电源供电，静态电流约15 mA，具备良好的ESD防护能力（HBM > 2 kV），易于匹配且无需外部中和电容，适合高集成度PCB设计。需注意其非功率放大器件，不适用于末级PA应用。  

（字数：298）

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