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BD180G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BD180G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BD180G价格参考¥1.68-¥2.12。ON SemiconductorBD180G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 PNP 80V 1A 3MHz 30W 通孔 TO-225AA。您可以下载BD180G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BD180G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BD180G是安森美(ON Semiconductor)生产的一款NPN型双极结型晶体管(BJT),属于通用放大和开关应用的中功率晶体管。其主要应用场景包括: 1. 音频放大电路:BD180G常用于低频和音频功率放大器中,作为驱动级或小信号放大管,适用于音响设备、收音机和小型音频功放模块。 2. 开关电路:由于具备较高的电流增益和良好的开关特性,该晶体管广泛用于电源控制、继电器驱动、LED驱动等中低频开关应用,可实现对负载的有效通断控制。 3. 电源管理:在稳压电源、DC-DC转换器及电压调节电路中,BD180G可用于电流调节和信号控制部分,协助实现稳定的输出电压。 4. 工业控制与消费电子:常见于家用电器(如电视、风扇控制)、工业自动化模块和小型电机驱动电路中,承担信号放大或功率切换功能。 BD180G具有较高的耐压(VCEO=80V)和集电极电流能力(IC=1.5A),适合中等功率应用。其TO-126封装有利于散热,提升工作稳定性。由于性能可靠、成本适中,该器件在模拟和数字混合电路中具有广泛适用性,特别适合对性价比和稳定性有要求的常规电子设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PNP 80V 1A TO225两极晶体管 - BJT 3A 80V 30W PNP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor BD180G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BD180G |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 800mV @ 100mA,1A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 40 @ 150mA,2V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | TO-225AA |
| 其它名称 | BD180G-ND |
| 功率-最大值 | 30W |
| 包装 | 散装 |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 3 MHz |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | TO-225AA,TO-126-3 |
| 封装/箱体 | TO-225-3 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 30 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 1 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 80V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 1A |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 15 |
| 系列 | BD180 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 80 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 80 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.8 V |
| 集电极连续电流 | 1 A |
| 频率-跃迁 | 3MHz |