图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

Datasheet下载
  • 型号: BCW33LT1G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ¥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

BCW33LT1G产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BCW33LT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BCW33LT1G价格参考。ON SemiconductorBCW33LT1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 32V 100mA 300mW 表面贴装 SOT-23-3(TO-236)。您可以下载BCW33LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BCW33LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS NPN 32V 100MA SOT-23两极晶体管 - BJT 100mA 32V NPN

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor BCW33LT1G-

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

BCW33LT1G

PCN设计/规格

点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

250mV @ 500µA, 10mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

420 @ 2mA,5V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SOT-23-3(TO-236)

其它名称

BCW33LT1GOSCT

功率-最大值

300mW

包装

剪切带 (CT)

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

225 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

0.1 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

32V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

100nA(ICBO)

直流电流增益hFE最大值

800

直流集电极/BaseGainhfeMin

420

系列

BCW33L

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

32 V

集电极—基极电压VCBO

32 V

集电极—射极饱和电压

0.25 V

集电极连续电流

0.1 A

频率-跃迁

-

BCW33LT1G 相关产品

BUT11AFTU

品牌:ON Semiconductor

价格:

2SA2205-TL-E

品牌:ON Semiconductor

价格:

FJA4310OTU

品牌:ON Semiconductor

价格:

ZTX657

品牌:Diodes Incorporated

价格:

SMBTA 92 E6433

品牌:Infineon Technologies

价格:

NSL12AWT1G

品牌:ON Semiconductor

价格:

BC807-16-7-F

品牌:Diodes Incorporated

价格:

MSA1162GT1G

品牌:ON Semiconductor

价格: