Datasheet下载- 型号： BC858CLT3G
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BC858CLT3G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BC858CLT3G价格参考。ON SemiconductorBC858CLT3G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BC858CLT3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BC858CLT3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BC858CLT3G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双极型晶体管（BJT），属于 NPN 类型。它是一种小型信号晶体管，广泛应用于低功率电路中。以下是 BC858CLT3G 的主要应用场景： 1. 信号放大 - BC858CLT3G 可用于音频、射频和其他小信号的放大。其低噪声特性和良好的增益性能使其适合在音频设备（如耳机放大器、麦克风前置放大器）中作为信号放大元件。 - 在无线通信领域，可以用于低功率射频信号的放大。 2. 开关应用 - 作为一种通用 NPN 晶体管，BC858CLT3G 常被用作电子开关。例如，在 LED 驱动电路中，可以通过控制基极电流来开启或关闭 LED。 - 在继电器驱动电路中，该晶体管可以用作驱动继电器线圈的开关。 3. 电源管理 - 在低功率电源管理电路中，BC858CLT3G 可用于稳压电路或电流限制电路。例如，它可以配合其他元件实现简单的线性稳压功能。 - 也可以用于电池保护电路，监测电流和电压并触发保护机制。 4. 传感器接口 - 在传感器信号处理中，BC858CLT3G 可以用作信号放大器或缓冲器。例如，在温度传感器、光敏电阻等模拟信号输出的场景中，可以将微弱信号放大到后续电路可处理的范围。 5. 脉宽调制 (PWM) 控制 - 在 PWM 控制电路中，BC858CLT3G 可以作为功率级开关，用于调节电机速度、LED 亮度或加热元件的功率。 6. 振荡器与定时电路 - 该晶体管可用于构建多谐振荡器、单稳态触发器或其他定时电路，适用于需要周期性信号的应用场景。 7. 消费电子与家电 - 在家用电器（如风扇、加湿器、玩具等）中，BC858CLT3G 可用于控制电机速度、灯光亮度或作为信号处理元件。 总结 BC858CLT3G 具有低饱和电压、高增益和良好的热稳定性，适用于各种低功率、小信号的放大和开关场景。由于其封装小巧（SOT-23），也适合空间受限的设计。具体应用时需根据电路需求选择合适的偏置条件和外围元件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PNP 30V 100MA SOT-23两极晶体管 - BJT 100mA 30V PNP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor BC858CLT3G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BC858CLT3G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 650mV @ 5mA，100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 420 @ 2mA，5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 10000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 225 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.1 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 30V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 15nA （ICBO） |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 420 |
| 系列 | BC858CL |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 30 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 30 V |
| 集电极—射极饱和电压 | - 0.65 V |
| 集电极连续电流 | - 0.1 A |
| 频率-跃迁 | 100MHz |
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