Datasheet下载- 型号： 2SA2125-TD-E
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SA2125-TD-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SA2125-TD-E价格参考￥2.74-￥3.21。ON Semiconductor2SA2125-TD-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2SA2125-TD-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SA2125-TD-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2SA2125-TD-E 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款PNP型双极结型晶体管（BJT）。该晶体管常用于中功率放大和开关应用。 主要应用场景包括： 1. 音频放大电路：适用于音频功率放大器的前置或驱动级，提供良好的信号放大性能。 2. 电源开关电路：在中低功率开关电路中作为控制元件，用于驱动继电器、LED灯组或其他负载。 3. DC-DC转换器：用于开关电源中的功率开关元件，实现电压转换功能。 4. 电机驱动电路：在小型电机或风扇的控制电路中作为驱动管使用。 5. 工业控制设备：广泛应用于各类工业自动化设备中的信号处理和功率控制模块。 该晶体管具有较高的电流增益和良好的热稳定性，适用于需要中等功率处理能力的电路设计。由于其封装为TO-252（DPAK），具备较好的散热性能，适合表面贴装，广泛应用于现代电子设备中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PNP 50V 3A PCP两极晶体管 - BJT DC-DC CONVERTER |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor 2SA2125-TD-E- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SA2125-TD-E |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 500mV @ 100mA，2A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 200 @ 100mA，2V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | PCP |
| 功率-最大值 | 3.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | - 6 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 390 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
| 封装/箱体 | PCP-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 3.5 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | - 6 A |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 3A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA （ICBO） |
| 直流电流增益hFE最大值 | 560 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 200 |
| 系列 | 2SA2125 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 50 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 50 V |
| 集电极—射极饱和电压 | - 125 mV, - 250 mV |
| 集电极连续电流 | - 3 A |
| 频率-跃迁 | 390MHz |
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