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Datasheet下载- 型号： BC847BLT3G
- 制造商： ON Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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BC847BLT3G产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BC847BLT3G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BC847BLT3G价格参考。ON SemiconductorBC847BLT3G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， Bipolar (BJT) Transistor NPN 45V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)。您可以下载BC847BLT3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BC847BLT3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的BC847BLT3G是一款NPN型双极结型晶体管（BJT），属于通用小信号晶体管，广泛应用于各类电子电路中。其主要应用场景包括信号放大、开关控制和数字逻辑电路。 在消费类电子产品中，BC847BLT3G常用于音频信号放大、传感器信号调理及驱动LED等低功率负载。由于其高增益和低噪声特性，适合用于前置放大器或小信号处理电路。在电源管理电路中，它可作为简单的开关元件，用于控制继电器、指示灯或其他外围设备的通断。 此外，该器件也广泛应用于工业控制、通信设备和便携式电子产品中，如手机、平板电脑、智能家居设备等。其SOT-23小型封装节省空间，适合高密度PCB布局，且符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺。 BC847BLT3G具有良好的温度稳定性和可靠性，工作温度范围通常为-55°C至+150°C，适用于较严苛的环境条件。凭借其性价比高、性能稳定、供货充足等优势，成为许多电子设计中的首选通用晶体管之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS NPN 45V 100MA SOT-23两极晶体管 - BJT 100mA 50V NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor BC847BLT3G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BC847BLT3G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 600mV @ 5mA，100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 200 @ 2mA，5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | BC847BLT3GOSDKR |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 10000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 225 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.1 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 45V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 15nA （ICBO） |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 200 |
| 系列 | BC847BL |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 45 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 50 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.6 V |
| 集电极连续电流 | 0.1 A |
| 频率-跃迁 | 100MHz |
