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产品简介:
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SMMBT5089LT1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双极型晶体管(BJT),属于单晶体管类型。该型号为 NPN 型晶体管,具有低饱和电压和高增益的特点,广泛应用于各种电子电路中。以下是其主要应用场景: 1. 开关应用 - SMMBT5089LT1G 可用于数字电路中的开关功能。由于其低饱和电压特性,能够在开关状态下实现高效能表现,适用于驱动继电器、LED、小型电机等负载。 2. 信号放大 - 在音频设备和其他模拟电路中,该晶体管可用作信号放大器。其高增益性能使得它适合处理微弱信号的放大任务,例如麦克风前置放大或无线电信号增强。 3. 电源管理 - 此晶体管可用于简单的线性稳压器设计,帮助调节输出电压以满足特定负载需求。此外,在某些电池供电设备中,它可以作为电流限制元件来保护电路。 4. 电机控制 - 对于小功率直流电机,SMMBT5089LT1G 可用作驱动晶体管。通过 PWM(脉宽调制)技术,可以实现对电机速度的精确控制。 5. 传感器接口 - 在传感器信号调理电路中,该晶体管能够将来自传感器的微弱信号放大到可被后续处理单元识别的水平。例如温度传感器、光敏电阻等的应用场景。 6. 通信设备 - 在一些低频通信模块中,这款 BJT 可用于信号调制与解调过程中的增益级构建。 总之,SMMBT5089LT1G 凭借其出色的电气特性和可靠性,非常适合需要高性能 NPN 晶体管的各种消费类电子产品、工业控制设备及通信系统等领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | TRANS NPN 25V 50MA SOT23 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | SMMBT5089LT1G |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 500mV @ 1mA,10mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 400 @ 100µA, 5V |
供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
功率-最大值 | 300mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
晶体管类型 | NPN |
标准包装 | 3,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 25V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 50mA |
电流-集电极截止(最大值) | 50nA (ICBO) |
频率-跃迁 | 50MHz |