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产品简介:
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NSS20600CF8T1G是安森美(ON Semiconductor)生产的一款NPN型双极结型晶体管(BJT),属于小信号通用晶体管。该器件采用先进的BCD工艺制造,具有高增益、低饱和压降和快速开关特性,适用于多种中低功率电子电路。 其典型应用场景包括: 1. 开关电路:广泛用于电源管理、LED驱动、继电器控制等开关应用中,得益于其快速响应和低导通损耗; 2. 信号放大:在音频设备、传感器信号调理、小信号处理电路中作为前置放大或缓冲级使用; 3. 逻辑电平转换与接口电路:常用于微控制器与外围设备之间的电平转换或驱动能力增强; 4. 消费类电子产品:如智能手机、平板电脑、智能家居设备中的电源控制模块; 5. 工业控制与汽车电子:因其高可靠性与工作温度范围宽(-55°C 到 150°C),适用于车载信息娱乐系统、ECU子系统及各类传感器接口。 该器件采用SC-70(SOT-323)封装,体积小巧,适合高密度贴装的便携式设备。同时,其符合RoHS环保要求,并具备良好的热稳定性和抗干扰能力,便于在复杂电磁环境中稳定运行。总体而言,NSS20600CF8T1G是一款高性能、高性价比的小信号BJT,适用于对空间、功耗和可靠性有较高要求的现代电子系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR PNP 6A 20V 8-CHIPFET |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | NSS20600CF8T1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 200mV @ 400mA,4A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 220 @ 1A,2V |
| 供应商器件封装 | ChipFET™ |
| 功率-最大值 | 830mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SMD,扁平引线 |
| 晶体管类型 | PNP |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 20V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 6A |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 频率-跃迁 | 100MHz |