【晶体管 - 双极 (BJT) - 单_BC327-40ZL1G】封装/厂家_BC327-40ZL1G中文资料_价格

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型号： BC327-40ZL1G
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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BC327-40ZL1G产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BC327-40ZL1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BC327-40ZL1G价格参考￥3.71-￥3.71。ON SemiconductorBC327-40ZL1G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，双极 (BJT) 晶体管 PNP 45V 800mA 260MHz 1.5W 通孔 TO-92-3。您可以下载BC327-40ZL1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BC327-40ZL1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANS PNP 45V 800MA TO-92两极晶体管 - BJT 800mA 50V PNP
产品分类	晶体管(BJT) - 单路分离式半导体
品牌	ON Semiconductor
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产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor BC327-40ZL1G-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	BC327-40ZL1G
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值）	700mV @ 50mA，500mA
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	250 @ 100mA，1V
产品种类	两极晶体管 - BJT
供应商器件封装	TO-92-3
其它名称	BC327-40ZL1GOSCT
功率-最大值	1.5W
包装	剪切带（CT）
发射极-基极电压VEBO	5 V
商标	ON Semiconductor
增益带宽产品fT	260 MHz
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Ammo Pack
封装/外壳	TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线
封装/箱体	TO-92-3 (TO-226)
工厂包装数量	2000
晶体管极性	PNP
晶体管类型	PNP
最大功率耗散	625 mW
最大工作温度	+ 150 C
最大直流电集电极电流	0.8 A
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
电压-集射极击穿（最大值）	45V
电流-集电极(Ic)（最大值）	800mA
电流-集电极截止（最大值）	100nA
直流集电极/BaseGainhfeMin	250
系列	BC327
配置	Single
集电极—发射极最大电压VCEO	- 45 V
集电极—基极电压VCBO	- 50 V
集电极—射极饱和电压	- 0.7 V
集电极连续电流	- 0.8 A
频率-跃迁	260MHz

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