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- 型号： 74HC03N,652
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供74HC03N,652由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 74HC03N,652价格参考。NXP Semiconductors74HC03N,652封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载74HC03N,652参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有74HC03N,652 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
74HC03N,652 是 NXP USA Inc.（恩智浦）推出的高速 CMOS 逻辑器件，属于“逻辑 - 栅极和逆变器”类别，具体为双输入漏极开路（Open-Drain）与非门（NAND），共含4个独立门电路（4×2-input NAND），采用14引脚 DIP 封装。 其核心特性是输出为开漏结构，需外接上拉电阻才能实现高电平输出，因此特别适用于电平转换、线与（Wired-AND）总线接口、驱动LED或继电器等中低电流负载，以及I²C等集电极/漏极开路总线协议的兼容扩展。 典型应用场景包括： ✅ I²C总线扩展——利用开漏特性实现多主设备共享总线； ✅ 中断信号合并——多个中断源通过“线与”方式连接至单个MCU中断引脚； ✅ LED/蜂鸣器驱动——直接灌电流驱动（每输出可吸收高达5.2mA，Vcc=4.5V）； ✅ 电平转换接口——配合不同电压上拉（如3.3V MCU控制5V外设），实现双向电平适配； ✅ 简单组合逻辑构建——如构成RS锁存器、使能控制电路等基础数字功能。 注意：因无内部上拉，不可直接替代标准推挽输出的74HC00系列，设计时须外加合适阻值上拉电阻（通常4.7kΩ–10kΩ）。该器件工作电压范围2.0–6.0V，具备高抗干扰性与低功耗，广泛用于工业控制、消费电子、嵌入式系统及教育实验板中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
| 描述 | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14-DIP逻辑门 QUAD 2-INPUT NAND GATE OC |
| 产品分类 | 逻辑 - 栅极和逆变器集成电路 - IC |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 逻辑集成电路,逻辑门,NXP Semiconductors 74HC03N,65274HC |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 74HC03N,652 |
| PCN封装 | |
| PCN组件/产地 | |
| 不同V、最大CL时的最大传播延迟 | 16ns @ 6V，50pF |
| 产品 | NAND |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=24983 |
| 产品种类 | 逻辑门 |
| 传播延迟时间 | 8 ns |
| 低电平输出电流 | 5.2 mA |
| 供应商器件封装 | 14-DIP |
| 其它名称 | 568-4550-5 |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 14-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 封装/箱体 | SOT-27 |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C |
| 工厂包装数量 | 25 |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 栅极数量 | 4 |
| 标准包装 | 25 |
| 特性 | 开路漏极 |
| 电压-电源 | 2 V ~ 6 V |
| 电流-输出高，低 | -，5.2mA |
| 电流-静态（最大值） | 2µA |
| 电源电压-最大 | 6 V |
| 电源电压-最小 | 2 V |
| 电路数 | 4 |
| 输入/输出线数量 | 2 / 1 |
| 输入数 | 2 |
| 输入线路数量 | 2 |
| 输出线路数量 | 1 |
| 逻辑电平-低 | 0.5 V ~ 1.8 V |
| 逻辑电平-高 | 1.5 V ~ 4.2 V |
| 逻辑类型 | 与非门 |
| 逻辑系列 | HC |
| 零件号别名 | 74HC03N |
| 高电平输出电流 | - 5.2 mA |
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