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- 型号： 71V416YS10PHI
- 制造商： Integrated Device Technology
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供71V416YS10PHI由Integrated Device Technology设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 71V416YS10PHI价格参考。Integrated Device Technology71V416YS10PHI封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载71V416YS10PHI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有71V416YS10PHI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
71V416YS10PHI 是 IDT（Integrated Device Technology，现属瑞萨电子）推出的一款高速异步静态RAM（SRAM），容量为256K × 4位（即1Mb），采用3.3V供电，10ns访问时间，封装为32引脚PLCC（Plastic Leaded Chip Carrier，型号后缀“HI”表示工业级温度范围：–40°C 至 +85°C）。 其典型应用场景包括： - 工业控制设备：如PLC（可编程逻辑控制器）、运动控制器等需高可靠性、宽温运行及快速随机读写的实时系统； - 通信基础设施：用于网络交换机、路由器中的缓冲存储、地址查表（如CAM辅助存储）、协议处理缓存等对低延迟敏感的模块； - 测试与测量仪器：示波器、逻辑分析仪等需高速采集与暂存数据的前端缓存； - 嵌入式系统与军用/航空电子：因具备工业级温度特性与无刷新设计（SRAM固有优势），适用于抗干扰强、寿命长、启动即用的关键任务场景； - 老一代FPGA/CPLD配置与协处理缓存：作为外部高速数据暂存器，配合较早期的可编程器件使用。 需注意：该型号已停产（EOL），属成熟但非主流新品，当前多见于维护升级或兼容替代项目中，选型时建议评估生命周期与替代方案（如ISSI或Renesas新型低功耗SRAM）。
产品参数
图文手册
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