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  • 型号: 71V3577S80BGI
  • 制造商: Integrated Device Technology
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供71V3577S80BGI由Integrated Device Technology设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 71V3577S80BGI价格参考。Integrated Device Technology71V3577S80BGI封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载71V3577S80BGI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有71V3577S80BGI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

71V3577S80BGI 是瑞萨电子(Renesas Electronics America Inc.)推出的一款高速异步静态RAM(SRAM),容量为256K × 16位(即512KB),访问时间为80ns,采用3.3V单电源供电,封装为119-pin BGA(Ball Grid Array),工业级温度范围(–40°C 至 +85°C),后缀“G”和“I”表明其符合无铅(Pb-free)及工业级可靠性标准。

该器件主要面向对数据存取速度、低延迟和高可靠性的嵌入式系统应用。典型应用场景包括:  
- 网络通信设备:如路由器、交换机中的数据包缓存、FIFO缓冲、查找表(LUT)或MAC地址表暂存;  
- 工业控制与自动化:PLC、运动控制器中用于实时I/O数据暂存、程序变量缓存或双端口共享内存(虽本型号为单端口,但其高速特性适配多处理器间低延迟通信桥接);  
- 测试测量仪器:示波器、逻辑分析仪的高速采集缓存,需在MHz级采样率下连续写入并快速读出;  
- 军事/航空电子系统(因工业级温度与高可靠性):雷达信号处理前端的中间结果暂存、航电总线协议转换缓冲等。

需注意:该芯片已于瑞萨产品生命周期中进入“Not Recommended for New Designs(NRND)”阶段,新设计建议评估替代型号(如IS61WV系列兼容方案或瑞萨新一代低功耗高速SRAM),但仍在部分存量工业与通信设备中广泛使用。
产品参数 图文手册 常见问题
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