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  • 型号: 71V3576S150PFI
  • 制造商: Integrated Device Technology
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供71V3576S150PFI由Integrated Device Technology设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 71V3576S150PFI价格参考。Integrated Device Technology71V3576S150PFI封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载71V3576S150PFI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有71V3576S150PFI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

71V3576S150PFI 是 IDT(Integrated Device Technology,现属瑞萨电子)推出的一款高速异步静态RAM(SRAM),容量为256K × 36位(即9Mb),采用3.3V供电,访问时间15ns(-150表示tAA ≤ 150ps?注:实际型号后缀“150”通常对应15ns访问时间,PFI代表无铅、工业级温度范围–40°C至+85°C,TQFP封装)。

该器件主要面向对速度、可靠性和低功耗有较高要求的嵌入式与通信类应用场景,典型应用包括:  
- 网络通信设备:如路由器、交换机中的数据包缓冲、FIFO暂存、地址查表(LUT)及控制平面缓存;  
- 工业控制系统:PLC、运动控制器中需快速读写、抗干扰强的实时数据暂存;  
- 测试测量仪器:逻辑分析仪、高速示波器的数据采集缓存,利用其零等待、全并行访问特性支持实时流式存储;  
- 军事/航空电子系统:凭借工业级温度范围与高可靠性,适用于加固型车载、机载任务计算机的中间缓存或双端口共享内存替代方案(需配合外部仲裁);  
- 视频处理前端:在图像采集卡或视频帧同步模块中用作行/场缓冲,满足突发带宽需求。

需注意:该芯片为并行接口SRAM,非Flash或DDR,不适用于大容量长期存储;其“存储器”分类属半导体易失性存储器(SRAM),强调高速随机访问能力,而非数据持久化。实际设计中需关注电源完整性、信号匹配及散热(尤其高频连续读写时)。
产品参数 图文手册 常见问题
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