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- 型号： 71V35761YSA200BG
- 制造商： Integrated Device Technology
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供71V35761YSA200BG由Integrated Device Technology设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 71V35761YSA200BG价格参考。Integrated Device Technology71V35761YSA200BG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载71V35761YSA200BG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有71V35761YSA200BG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
该器件“71V35761YSA200BG”实为IDT（Integrated Device Technology，现属瑞萨电子）出品的高速异步SRAM（静态随机存取存储器），非“品牌为-”的无名产品。其型号解析如下：“71V35761”为IDT经典高性能CMOS SRAM系列，“YSA”表示工业级温度范围（–40°C 至 +85°C），“200”代表访问时间200ns，“BG”指采用119引脚BGA封装。 典型应用场景包括： 1. 通信设备：用作网络处理器（NPU）、交换芯片或FPGA的高速缓存/缓冲区，支持突发数据包临时存储与低延迟读写； 2. 工业控制与自动化：在PLC、运动控制器中作为实时数据暂存区，满足确定性响应和宽温可靠性要求； 3. 测试测量仪器：如高速示波器、逻辑分析仪的数据采集缓存，利用其异步接口兼容多种时序控制器； 4. 嵌入式系统：为DSP或微控制器提供大容量（2MB × 16位 = 4MB）、零等待状态的片外RAM扩展，提升算法处理效率。 需注意：该芯片已停产（EOL），当前多用于存量设备维护或替代设计；实际应用中需配合地址锁存、时序匹配电路，并注意BGA焊接工艺与信号完整性设计。
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