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- 型号： 71V3556SA133BGGI
- 制造商： Integrated Device Technology
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供71V3556SA133BGGI由Integrated Device Technology设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 71V3556SA133BGGI价格参考。Integrated Device Technology71V3556SA133BGGI封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载71V3556SA133BGGI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有71V3556SA133BGGI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IDT（Integrated Device Technology Inc.）的71V3556SA133BGGI是一款高性能、低功耗的3.3V CMOS静态RAM（SRAM），容量为256K × 16位（即4Mb），访问时间为133MHz（即7.5ns访问时间），采用119-pin BGA（Ball Grid Array）封装，工业级温度范围（–40°C 至 +85°C），并带“G”后缀表示无铅、符合RoHS标准。 该器件主要面向对速度、可靠性和实时性要求严苛的嵌入式系统与通信设备。典型应用场景包括： - 网络通信设备：如高速路由器、交换机中的数据包缓存、FIFO缓冲、地址查表（LUT）、CAM预处理等； - 电信基础设施：基站基带处理单元（BBU）、光传输设备（OTN/SDH）中的帧缓存与协议处理中间存储； - 工业控制与自动化：PLC、运动控制器中需零等待、确定性响应的高速暂存区； - 测试测量仪器：逻辑分析仪、高速示波器的数据采集缓存，支持突发读写与连续流式存取； - 军事/航空电子系统：因具备工业级温宽和高抗干扰SRAM特性，适用于加固型航电数据记录与实时信号处理模块。 其双电源（VDD=3.3V，VDDQ可兼容3.3V或2.5V）设计便于与FPGA/CPLD（如Xilinx或Intel器件）无缝接口，常作为协处理器或SoC的外部高速工作内存使用。虽已随IDT于2019年被瑞萨电子（Renesas）收购而进入产品生命周期后期（建议查阅Renesas官网确认供货状态），但在存量设备维护及特定高可靠性场景中仍有持续应用。
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