Datasheet下载- 型号： 71V016SA12YG
- 制造商： Integrated Device Technology
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供71V016SA12YG由Integrated Device Technology设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 71V016SA12YG价格参考。Integrated Device Technology71V016SA12YG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载71V016SA12YG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有71V016SA12YG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
71V016SA12YG 是瑞萨电子（Renesas Electronics America Inc.）旗下的一款高速异步静态RAM（SRAM），容量为1Mb（64K × 16位），访问时间为12ns，采用3.3V单电源供电，封装为SOJ-44或TSOP-II-44（具体以后缀Y/G标识为准）。 该器件主要面向对读写速度、低延迟和高可靠性要求严苛的嵌入式与工业应用场景。典型应用包括： - 网络通信设备：用作路由器、交换机中的数据包缓存、FIFO缓冲或查找表（LUT）存储； - 工业控制与自动化系统：作为PLC、运动控制器或HMI中实时数据暂存区，支持快速状态更新与中断响应； - 测试测量仪器：在逻辑分析仪、示波器等设备中承担高速采样数据的临时缓存； - 军事/航空航天嵌入式系统：凭借宽温范围（工业级–40°C至+85°C）及抗干扰设计，适用于加固型终端； - 老一代数字信号处理系统：配合DSP或FPGA实现低延迟本地内存扩展（如图像处理流水线中的帧缓存辅助存储）。 需注意：该型号为较早期的异步SRAM，已逐步被更高速、更低功耗的同步SRAM或QDR SRAM替代，当前多用于产品维护、产线延续或对成本与兼容性敏感的成熟设计中。不适用于需要大容量、低功耗或DDR接口的新开发项目。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 品牌 | IDT |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | 静态随机存取存储器 64Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V STATIC RAM |
| 产品分类 | 集成电路 - IC |
| 产品手册 | http://www.idt.com/document/dst/71v016sa-datasheet |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 内存,静态随机存取存储器,IDT 71V016SA12YG |
| 产品型号 | 71V016SA12YG |
| 产品种类 | 静态随机存取存储器 |
| 商标 | IDT |
| 存储容量 | 1 Mbit |
| 存储类型 | SDR |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/箱体 | SOJ-44 |
| 工厂包装数量 | 16 |
| 接口 | Parallel |
| 最大工作温度 | + 70 C |
| 最大工作电流 | 150 mA |
| 最小工作温度 | 0 C |
| 电源电压-最大 | 3.6 V |
| 电源电压-最小 | 3 V |
| 类型 | Asynchronous |
| 系列 | 71V016 |
| 组织 | 64 k x 16 |
| 访问时间 | 12 ns |
| 零件号别名 | 71V016 IDT71V016SA12YG |
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